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HSPR-X和HSA-X-S系列光电探测器
简介:

HSPR-X和HSA-X-S系列超快速光电探测器中,将高品质的光电二极管与成功的FEMTO GHz放大器技术相结合。zui大带宽达到2GHz,相应地,zui小上升时间为180ps。两款型号分别配备有Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管,光谱范围为320nm - 1000nm / 900nm - 1700nm。由于非常低噪声的放大器设计,zui小噪声等效输入功率(NEP)在5 x 10^3 V/A的增益下仅为11 pW/√Hz。因此,可以在GHz带宽下检测到µW级别的光信号。

产品特点 产品参数 应用领域 功能图解 相关下载 相关产品
产品特点

特性

− 硅(Si-PIN)铟镓砷(InGaAs-PIN)光电二极管

− 光谱范围320nm - 1700nm

− 超宽带,频率范围从10 kHz扩展至2GHz

− zui大转换增益为4.75 x 10^3 V/W

− zui小噪声等效功率(NEP)11pW/√Hz


HSPR-X和HSA-X-S系列超快速光电探测器中,将高品质的光电二极管与成功的FEMTO GHz放大器技术相结合。zui大带宽达到2GHz,相应地,zui小上升时间为180ps。两款型号分别配备有Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管,光谱范围为320nm - 1000nm / 900nm - 1700nm。由于非常低噪声的放大器设计,zui小噪声等效输入功率(NEP)在5 x 10^3 V/A的增益下仅为11 pW/√Hz。因此,可以在GHz带宽下检测到µW级别的光信号。


产品参数

Model

HSA-X-S-1G4-SI

HSPR-X-I-1G4-SI

inverting     

HSA-X-S-2G-IN

HSPR-X-I-2G-IN

inverting     

Photodiode

Ø 0.4 mm Si-PIN

Ø 0.4 mm Si-PIN

Ø 0.1 mm InGaAs-PIN

Ø 0.1 mm InGaAs-PIN

Spectral Range

320 - 1000 nm

320 - 1000 nm

900 - 1700 nm

900 - 1700 nm

Bandwidth (−3 dB)

10 kHz - 1.4 GHz

10 kHz - 1.4 GHz

10 kHz - 2 GHz

10 kHz - 2 GHz

Rise/Fall Time

(10 % - 90 %)

250 ps

250 ps

180 ps

180 ps

Transimpedance Gain

5 x 103 V/A

5 x 103 V/A

inverting

5 x 103 V/A

5 x 103 V/A

inverting

Conversion Gain

2.55 x 103 V/W

(@ 760 nm)

2.55 x 103 V/W

(@ 760 nm)

4.75 x 103 V/W

(@ 1550 nm)

4.75 x 103 V/W

(@ 1550 nm)

NEP (@ 100 MHz)

32 pW/√Hz

(@ 760 nm)

19 pW/√Hz

(@ 760 nm)

16 pW/√Hz

(@ 1550 nm)

11 pW/√Hz

(@ 1550 nm)

Output VSWR

2.5 : 1

1.4 : 1

2.5 : 1

1.4 : 1

Maximum Output Voltage @ 50 Ω

1.9 VPP

2.0 VPP

1.9 VPP

2.0 VPP

Output Noise

3.6 mVRMS

2.5 mVRMS

3.6 mVRMS

2.5 mVRMS

Available Input Options

Free space (FS) or FC

Free space (FS) or FC

Free space (FS) or FC

Free space (FS) or FC

 

输出端具有短路保护功能。M4和8-32标准螺纹孔,便于在光机系统中轻松安装。通过3极Lemo®连接器提供+15V供电电压,并随产品附带合适的插头。可选择购买PS-15系列兼容的电源适配器。更多详细信息请参阅数据手册。

应用领域

− 光谱学

− 快速脉冲和瞬态测量

− 光学触发

− 示波器和快速模数转换器的光学接收器(电光转换器)

功能图解

结构图

image.png


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