特性
− 硅(Si-PIN)或铟镓砷(InGaAs-PIN)光电二极管
− 光谱范围320nm - 1700nm
− 超宽带,频率范围从10 kHz扩展至2GHz
− zui大转换增益为4.75 x 10^3 V/W
− zui小噪声等效功率(NEP)11pW/√Hz
在HSPR-X和HSA-X-S系列超快速光电探测器中,将高品质的光电二极管与成功的FEMTO GHz放大器技术相结合。zui大带宽达到2GHz,相应地,zui小上升时间为180ps。两款型号分别配备有Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管,光谱范围为320nm - 1000nm / 900nm - 1700nm。由于非常低噪声的放大器设计,zui小噪声等效输入功率(NEP)在5 x 10^3 V/A的增益下仅为11 pW/√Hz。因此,可以在GHz带宽下检测到µW级别的光信号。
Model | HSA-X-S-1G4-SI | HSPR-X-I-1G4-SI inverting | HSA-X-S-2G-IN | HSPR-X-I-2G-IN inverting |
Photodiode | Ø 0.4 mm Si-PIN | Ø 0.4 mm Si-PIN | Ø 0.1 mm InGaAs-PIN | Ø 0.1 mm InGaAs-PIN |
Spectral Range | 320 - 1000 nm | 320 - 1000 nm | 900 - 1700 nm | 900 - 1700 nm |
Bandwidth (−3 dB) | 10 kHz - 1.4 GHz | 10 kHz - 1.4 GHz | 10 kHz - 2 GHz | 10 kHz - 2 GHz |
Rise/Fall Time (10 % - 90 %) | 250 ps | 250 ps | 180 ps | 180 ps |
Transimpedance Gain | 5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A inverting | 5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A inverting |
Conversion Gain | 2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) | 2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) | 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm) | 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm) |
NEP (@ 100 MHz) | 32 pW/√Hz (@ 760 nm) | 19 pW/√Hz (@ 760 nm) | 16 pW/√Hz (@ 1550 nm) | 11 pW/√Hz (@ 1550 nm) |
Output VSWR | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 |
Maximum Output Voltage @ 50 Ω | 1.9 VPP | 2.0 VPP | 1.9 VPP | 2.0 VPP |
Output Noise | 3.6 mVRMS | 2.5 mVRMS | 3.6 mVRMS | 2.5 mVRMS |
Available Input Options | Free space (FS) or FC | Free space (FS) or FC | Free space (FS) or FC | Free space (FS) or FC |
输出端具有短路保护功能。M4和8-32标准螺纹孔,便于在光机系统中轻松安装。通过3极Lemo®连接器提供+15V供电电压,并随产品附带合适的插头。可选择购买PS-15系列兼容的电源适配器。更多详细信息请参阅数据手册。
− 光谱学
− 快速脉冲和瞬态测量
− 光学触发
− 示波器和快速模数转换器的光学接收器(电光转换器)
结构图